Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
110 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,086
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,104
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
1000
€ 0,086
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,104
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Juosta)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
50 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
120 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
120 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
110 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.