Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,441
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 0,534
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
50
€ 0,441
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (be PVM)
€ 0,534
Už kiekviena vnt. (tiekiama dežeje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Dėžutė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,441 | € 22,05 |
250 - 450 | € 0,262 | € 13,12 |
500 - 2450 | € 0,255 | € 12,76 |
2500 - 4950 | € 0,25 | € 12,50 |
5000+ | € 0,244 | € 12,18 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.