Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 8,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,04
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
€ 8,30
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 10,04
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 5 | € 8,30 |
6 - 14 | € 7,66 |
15+ | € 7,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiMaximum Continuous Collector Current
75 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Channel Type
N
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Matmenys
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Produkto aprašymas
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.