Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
37.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.07mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,888
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 2,888
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
37.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.07mm
Kilmės šalis
China