Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 nC @ 10 V
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,312
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,588
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 1,312
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1,588
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
227 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±16 V
Plotis
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
100 nC @ 10 V
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines