Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
9.65mm
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.83mm
Kilmės šalis
China
€ 6 400,00
€ 4,00 Each (On a Reel of 1600) (be PVM)
€ 7 744,00
€ 4,84 Each (On a Reel of 1600) (su PVM)
1600

€ 6 400,00
€ 4,00 Each (On a Reel of 1600) (be PVM)
€ 7 744,00
€ 4,84 Each (On a Reel of 1600) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1600

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
312 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
9.65mm
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.83mm
Kilmės šalis
China


