Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,107
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,129
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,107
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,129
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,107 | € 10,71 |
200 - 400 | € 0,102 | € 10,18 |
500 - 900 | € 0,096 | € 9,56 |
1000 - 1900 | € 0,067 | € 6,72 |
2000+ | € 0,063 | € 6,30 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
225 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
Produkto aprašymas