Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Configuration
Single
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
5.33mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 180,50
€ 0,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 218,40
€ 0,109 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
€ 180,50
€ 0,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 218,40
€ 0,109 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
![sticker-462](https://cms.rsdelivers.com/repository-v1/nuolaida-7.gif)
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Configuration
Single
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
5.33mm