Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
ATPAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
7.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,345
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,418
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,345
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,418
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
ATPAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
7.3mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 10 V
Aukštis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas