Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,31
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,795
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 2,31
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,795
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3 + Tab
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
313 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V