Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,537
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,65
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,537
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,65
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,537 | € 13,41 |
50 - 225 | € 0,441 | € 11,02 |
250 - 475 | € 0,358 | € 8,95 |
500 - 975 | € 0,312 | € 7,80 |
1000+ | € 0,278 | € 6,96 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
49 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Aukštis
1.5mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C