Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,303
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,367
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
€ 0,303
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,367
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,303 | € 15,15 |
250 - 450 | € 0,131 | € 6,56 |
500 - 2450 | € 0,125 | € 6,27 |
2500 - 4950 | € 0,105 | € 5,27 |
5000+ | € 0,092 | € 4,61 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.