Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
BSS138AKA
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.06 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,151
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,183
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100
€ 0,151
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,183
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
Standartas
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,151 | € 15,10 |
500 - 900 | € 0,139 | € 13,87 |
1000 - 2400 | € 0,13 | € 13,02 |
2500 - 4900 | € 0,12 | € 11,97 |
5000+ | € 0,109 | € 10,92 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
BSS138AKA
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.06 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.39 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Produkto aprašymas