Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.2mm
Plotis
6.73mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,68
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,033
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 1,68
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,033
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.2mm
Plotis
6.73mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.39mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.