Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
49.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Plotis
4.93mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34.9 nC @ 10 V
Aukštis
16.13mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,95
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,15
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5
€ 0,95
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 1,15
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
16 A
Maximum Drain Source Voltage
550 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
350 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
49.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Plotis
4.93mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.71mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34.9 nC @ 10 V
Aukštis
16.13mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Kilmės šalis
Korea, Republic Of
Produkto aprašymas
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.