Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7343PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,478
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,578
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,478
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,578
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
3.4 A, 4.7 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
SO-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω, 0.17 Ω
Channel Mode
Depletion
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.3 nC @ 10 V, 24 nC @ 10 V
Plotis
4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.5mm
Serija
IRF7343PbF
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C