Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Serija
HEXFET
Plotis
4.69mm
Pakuotės tipas
TO-220AB
Ilgis
10.54mm
Aukštis
8.77mm
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Markė
InfineonMaximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 10 V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,845
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 1,022
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20
€ 0,845
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 1,022
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
Standartas
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,845 | € 16,89 |
100 - 180 | € 0,659 | € 13,19 |
200 - 480 | € 0,618 | € 12,35 |
500 - 980 | € 0,574 | € 11,48 |
1000+ | € 0,532 | € 10,64 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Transistor Material
Si
Kaiščių skaičius
3
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Serija
HEXFET
Plotis
4.69mm
Pakuotės tipas
TO-220AB
Ilgis
10.54mm
Aukštis
8.77mm
Maximum Power Dissipation
130 W
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Markė
InfineonMaximum Drain Source Resistance
44 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
71 nC @ 10 V
Kilmės šalis
China