Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPT015N10N5
Pakuotės tipas
HSOF-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Plotis
10.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.4mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,57
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,32
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,57
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,32
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
IPT015N10N5
Pakuotės tipas
HSOF-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Plotis
10.58mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
2.4mm