Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
IPD200N15N3 G
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
9.45mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.57mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,678
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 3,24
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 2,678
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 3,24
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 10 | € 2,678 | € 26,78 |
20 - 40 | € 2,152 | € 21,52 |
50 - 90 | € 1,995 | € 19,95 |
100 - 240 | € 1,838 | € 18,38 |
250+ | € 1,732 | € 17,32 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Serija
IPD200N15N3 G
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Plotis
9.45mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
4.57mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C