Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
BSC035N10NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Ilgis
5.49mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,942
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 2,35
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
€ 1,942
Each (On a Reel of 5000) (be PVM)
€ 2,35
Each (On a Reel of 5000) (su PVM)
5000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serija
BSC035N10NS5
Pakuotės tipas
TDSON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
156 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Ilgis
5.49mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Forward Diode Voltage
1.1V