Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Produkto aprašymas
Dual Matched Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,079
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,096
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,079
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,096
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
-65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.8mm
Produkto aprašymas