Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.9mm
Produkto aprašymas
Dual NPN/PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,221
Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 0,267
Each (In a Pack of 200) (su PVM)
Standartas
200
€ 0,221
Each (In a Pack of 200) (be PVM)
€ 0,267
Each (In a Pack of 200) (su PVM)
Standartas
200
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
200 - 800 | € 0,221 | € 44,27 |
1000 - 1800 | € 0,159 | € 31,73 |
2000+ | € 0,151 | € 30,21 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
InfineonTransistor Type
NPN/PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
250 MHz
Kaiščių skaičius
6
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
2 x 1.25 x 0.9mm
Produkto aprašymas