Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Transistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
200 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
40 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm