Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
DMN2058U
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
91 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,093
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,113
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,093
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,113
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
DMN2058U
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
91 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.13 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Plotis
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas