Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
BournsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
8.72 x 10.4 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
BournsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
8.72 x 10.4 x 4.7mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C