Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 91,44
€ 3,658 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 110,64
€ 4,426 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 91,44
€ 3,658 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 110,64
€ 4,426 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 45 | € 3,658 | € 18,29 |
50 - 120 | € 3,42 | € 17,10 |
125 - 245 | € 3,23 | € 16,15 |
250+ | € 2,565 | € 12,82 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Plotis
9.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
4.83mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Taiwan, Province Of China
Produkto aprašymas