Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1 365,15
€ 0,455 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 651,83
€ 0,551 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 365,15
€ 0,455 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1 651,83
€ 0,551 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
730 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas