Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

€ 1,95
€ 1,95 už 1 vnt. (be PVM)
€ 2,36
€ 2,36 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 1,95
€ 1,95 už 1 vnt. (be PVM)
€ 2,36
€ 2,36 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 1,95 |
10 - 49 | € 1,90 |
50 - 99 | € 1,85 |
100 - 249 | € 1,71 |
250+ | € 1,66 |

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
78 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
