Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China
€ 1 784,10
€ 0,595 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 158,76
€ 0,72 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 1 784,10
€ 0,595 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 2 158,76
€ 0,72 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Serija
TrenchFET
Pakuotės tipas
PowerPAK SO-8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.5V
Maximum Power Dissipation
66 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
1.07mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
China