Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TPC
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +20 V
Plotis
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.52mm
Produkto aprašymas
MOSFET P-Channel, TPC Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 3,39
€ 0,678 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,10
€ 0,82 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 3,39
€ 0,678 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 4,10
€ 0,82 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,678 | € 3,39 |
50 - 495 | € 0,643 | € 3,22 |
500 - 2495 | € 0,608 | € 3,04 |
2500 - 4995 | € 0,542 | € 2,71 |
5000+ | € 0,51 | € 2,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serija
TPC
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +20 V
Plotis
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
64 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.52mm
Produkto aprašymas