Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,93
€ 2,232 Each (In a Pack of 4) (be PVM)
€ 10,81
€ 2,701 Each (In a Pack of 4) (su PVM)
Standartas
4

€ 8,93
€ 2,232 Each (In a Pack of 4) (be PVM)
€ 10,81
€ 2,701 Each (In a Pack of 4) (su PVM)
Standartas
4

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
56 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
69 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Transistor Material
Si
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas