Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
China
€ 144,88
€ 2,898 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 175,30
€ 3,506 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 144,88
€ 2,898 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 175,30
€ 3,506 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.6mm
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
15.75mm
Kilmės šalis
China