Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
Hip247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG
30

P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (be PVM)
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1200 V, 3-Pin HIP247 SCT040W120G3AG
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
30

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
Hip247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
Kilmės šalis
China