Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia
€ 9,02
€ 1,805 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

€ 9,02
€ 1,805 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 10,92
€ 2,184 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
Standartas
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,805 | € 9,02 |
50 - 95 | € 1,568 | € 7,84 |
100 - 495 | € 1,33 | € 6,65 |
500 - 995 | € 1,188 | € 5,94 |
1000+ | € 1,092 | € 5,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
123 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
DFN
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
5
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.1mm
Ilgis
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
1.05mm
Kilmės šalis
Malaysia