Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
HiperFET, Polar
Pakuotės tipas
TO-247AD
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
650 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Plotis
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
16.26mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
21.46mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
€ 11,68
€ 11,68 už 1 vnt. (be PVM)
€ 14,13
€ 14,13 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

€ 11,68
€ 11,68 už 1 vnt. (be PVM)
€ 14,13
€ 14,13 už 1 vnt. (su PVM)
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 5 | € 11,68 |
6 - 14 | € 10,07 |
15+ | € 9,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
44 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serija
HiperFET, Polar
Pakuotės tipas
TO-247AD
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
140 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
650 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Plotis
5.3mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
16.26mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
21.46mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS