Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,13
€ 0,205 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 6,21
€ 0,248 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 5,13
€ 0,205 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 6,21
€ 0,248 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.05mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas