Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 83,75
€ 3,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 101,34
€ 4,054 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

€ 83,75
€ 3,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 101,34
€ 4,054 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
25 - 45 | € 3,35 | € 16,75 |
50 - 120 | € 3,20 | € 16,00 |
125 - 245 | € 2,85 | € 14,25 |
250+ | € 2,70 | € 13,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
450 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Plotis
4.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas