Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.82mm
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Kilmės šalis
China
€ 10,70
€ 10,70 už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,95
€ 12,95 už 1 vnt. (su PVM)
1

€ 10,70
€ 10,70 už 1 vnt. (be PVM)
€ 12,95
€ 12,95 už 1 vnt. (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 10,70 |
10+ | € 9,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
46 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
337 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.82mm
Ilgis
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
98 nC @ 10 V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
20.82mm
Kilmės šalis
China