Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
222 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.9mm
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.07mm
Kilmės šalis
China
€ 2 300,00
€ 2,30 Each (In a Tube of 1000) (be PVM)
€ 2 783,00
€ 2,783 Each (In a Tube of 1000) (su PVM)
1000

€ 2 300,00
€ 2,30 Each (In a Tube of 1000) (be PVM)
€ 2 783,00
€ 2,783 Each (In a Tube of 1000) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
1000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
222 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220F
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.9mm
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
108 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Aukštis
16.07mm
Kilmės šalis
China