Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
Standartas
25

P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.01mm