Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.85mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 82,40
€ 0,206 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 99,70
€ 0,249 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
400
€ 82,40
€ 0,206 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 99,70
€ 0,249 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
400
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
| kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,206 | € 5,15 |
| 1000+ | € 0,16 | € 4,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
PowerDI3333-8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.85mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products