Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.45 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 67,50
€ 0,675 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 81,68
€ 0,817 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

€ 67,50
€ 0,675 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 81,68
€ 0,817 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 240 | € 0,675 | € 6,75 |
250 - 490 | € 0,605 | € 6,05 |
500 - 990 | € 0,391 | € 3,91 |
1000+ | € 0,341 | € 3,41 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
2.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.04mm
Plotis
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.45 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.02mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas