Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.29mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 76,38
€ 0,764 Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 92,42
€ 0,924 Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100

€ 76,38
€ 0,764 Each (In a Tube of 100) (be PVM)
€ 92,42
€ 0,924 Each (In a Tube of 100) (su PVM)
100

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,764 | € 76,38 |
200 - 400 | € 0,718 | € 71,82 |
500+ | € 0,649 | € 64,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
HVMDIP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
270 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.29mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
3.37mm
Produkto aprašymas