N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF

RS kodas: 541-1039PGamintojas: VishayGamintojo kodas: IRFD110PBF
brand-logo
Žiūrėti viską MOSFET

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

HVMDIP

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Plotis

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ilgis

5mm

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Aukštis

3.37mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBFGamintojas: Vishay
€ 0,979Each (In a Tube of 100) (be PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 13,05

€ 0,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)

€ 15,79

€ 0,79 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF
Pasirinkite pakuotės tipą

Gamybinė pakuotė (Juosta)

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

20

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1
20€ 13,05
21€ 13,71
22€ 14,36
23€ 15,01
24€ 15,66
25€ 14,44
26€ 15,02
27€ 15,60
28€ 16,17
29€ 16,75
30€ 17,33
31€ 17,91
32€ 18,48
33€ 19,06
34€ 19,64
sticker-462

€ 13,05

€ 0,65 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)

€ 15,79

€ 0,79 Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)

N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP Vishay IRFD110PBF
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą

Gamybinė pakuotė (Juosta)

Pasirinkite pakuotės tipą

Standartas - each

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1.

Gamyba -

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1.

Rekomenduojama užsakant dideliais kiekiais. Produktai supakuoti taip, kad juos būtų galima įdėti į mašinas, todėl galite padidinti gamybos efektyvumą.

20

Galima įsigyti kartotiną kiekį 1
20€ 13,05
21€ 13,71
22€ 14,36
23€ 15,01
24€ 15,66
25€ 14,44
26€ 15,02
27€ 15,60
28€ 16,17
29€ 16,75
30€ 17,33
31€ 17,91
32€ 18,48
33€ 19,06
34€ 19,64
sticker-462

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

kiekisVieneto kaina
20 - 24€ 0,65
25 - 49€ 0,58
50+€ 0,53

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBFGamintojas: Vishay
€ 0,979Each (In a Tube of 100) (be PVM)

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Pakuotės tipas

HVMDIP

Tvirtinimo tipas

Through Hole

Kaiščių skaičius

4

Maximum Drain Source Resistance

540 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

1.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

8.3 nC @ 10 V

Plotis

6.29mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Ilgis

5mm

Maksimali darbinė temperatūra

+175 °C

Aukštis

3.37mm

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Produkto aprašymas

N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Galbūt jus domina
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBF
Vishay N-Channel MOSFET, 1 A, 100 V, 4-Pin HVMDIP IRFD110PBFGamintojas: Vishay
€ 0,979Each (In a Tube of 100) (be PVM)