Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 19,97
€ 0,799 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,16
€ 0,967 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

€ 19,97
€ 0,799 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 24,16
€ 0,967 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220AB
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Plotis
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.41mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
9.01mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas