Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 5,94
€ 1,188 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,19
€ 1,437 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

€ 5,94
€ 1,188 Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 7,19
€ 1,437 Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,188 | € 5,94 |
25 - 95 | € 1,045 | € 5,22 |
100 - 245 | € 0,924 | € 4,62 |
250 - 495 | € 0,866 | € 4,33 |
500+ | € 0,813 | € 4,07 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
TK
Pakuotės tipas
TO-220SIS
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.5mm
Aukštis
15mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas