Texas Instruments P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 3,07
€ 0,614 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,71
€ 0,743 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

€ 3,07
€ 0,614 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 3,71
€ 0,743 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
NexFET
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Plotis
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Produkto aprašymas