Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
66A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
42mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
446W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
121nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 324,00
€ 10,80 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 392,04
€ 13,068 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 324,00
€ 10,80 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 392,04
€ 13,068 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
30

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
66A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
42mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
446W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
121nC
Forward Voltage Vf
1.3V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.