Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
79mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
70nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 7,10
€ 7,10 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,59
€ 8,59 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
€ 7,10
€ 7,10 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 8,59
€ 8,59 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
40A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Pakuotės tipas
TO-247
Serija
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
79mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
300W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
70nC
Maximum Gate Source Voltage Vgs
25V
Forward Voltage Vf
1.5V
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Standards/Approvals
No
Plotis
5.15mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
