Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Serija
MDmesh M5
Pakuotės tipas
TO-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
€ 44,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 53,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

€ 44,00
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 53,24
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

Techniniai Dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
Type N
Product Type
MOSFET
Maximum Continuous Drain Current Id
35A
Maximum Drain Source Voltage Vds
710V
Serija
MDmesh M5
Pakuotės tipas
TO-247
Mount Type
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
78mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.5V
Maximum Power Dissipation Pd
210W
Minimali darbinė temperatūra
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
82nC
Maksimali darbinė temperatūra
150°C
Standards/Approvals
No
Aukštis
20.15mm
Ilgis
15.75mm
Automotive Standard
No
Kilmės šalis
China
Produkto Aprašymas
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, Compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.